#1 15. November 2007 Zwei Wochen nach Qimonda hat nun auch der koreanische Speicherchiphersteller Hynix einen ersten GDDR5-SDRAM-Chip vorgestellt. Während Qimonda ein 512-MBit-Bauelement angekündigt hat, ist es bei Hynix gleich 1 GBit. Laut Hynix kommt dabei ein 66-Nanometer-Fertigungsprozess zum Einsatz. Die Großserienfertigung soll im ersten Halbjahr 2008 anlaufen. Anders als die Firma Qimonda, die die GDDR4-Technik quasi überspringen will, hat Hynix auch 512-MBit-Chips nach GDDR4-Spezifikation im Angebot. Auch Samsung arbeitet an GDDR5-Chips; nach älteren Präsentationsfolien sollten diese Bauelemente eigentlich bereits angekündigt sein. 1-GBit-GDDR5-Chips will Samsung in 50-nm-Technik ebenfalls ab Mitte 2008 in großen Stückzahlen produzieren. Bei 2,5 GHz Taktfrequenz liefert GDDR5 pro Anschlusspin und Sekunde rund 5 GBit an Daten, das addiert sich bei den üblichen x32-Chips auf 20 GByte/s pro Bauelement. Grafikprozessoren mit 256 Datenleitungen für die Speicheranbindung erreichen mit acht parallel angeschlossenen 2,5-GHz-GDDR5-Chips also 160 GByte/s. Zum Vergleich: Die Speichercontroller in aktuellen x86-Prozessoren und -Chipsätzen für Desktop-PC-Mainboards steuern typischerweise zwei Speicherkanäle mit je 64 Datensignalleitungen an; beim Einsatz von PC2-6400/DDR2-800-DIMMs liegt das theoretische Maximum der Datentransferrate dann insgesamt bei 12,8 GByte/s, zwei PC3-10600/DDR3-1333-Speicherkanäle bringen es auf rund 21 GByte/s. Die Firma Rambus verspricht, dass die von ihr entwickelten XDR2-Chips mindestens etwa 16 GByte/s pro Chip liefern. (ciw/c't) Quelle:http://www.heise.de/newsticker/meldung/99035 + Multi-Zitat Zitieren