#1 7. November 2007 Trotz einiger Rückschläge schätzen zahlreiche Firmen und Forschungsinstitute das MRAM-Potenzial offenbar als hoch genug ein, um weiter daran zu tüfteln. Das belegt das Progamm (PDF-Datei hier) der aktuell in Tampa/Florida stattfindenden MMM 2007 (52nd Magnetism and Magnetic Materials Conference). Dort stellt Toshiba ein Verfahren vor, das – ähnlich wie die PMR-Technik bei aktuellen Festplatten – die Perpendicular Magnetic Anisotropy (PMA) in Magnetic Tunnel Junctions (MTJs) nutzt, den Kernkomponenten einiger MRAM-Speicherzelltypen. Außerdem konnten die Toshiba-Forscher Spin Transfer Switching erfolgreich anwenden. Damit und mit PMA soll die zum Beschreiben der MRAM-Speicherzellen nötige Energie sinken – eine der Voraussetzungen, um MRAM-Chips endlich mit zu CMOS-DRAMs konkurrenzfähiger Kapazität fertigen zu können. Im Grenoble arbeiten Wissenschafler des Instituts Spintec in Kooperation mit Crocus Technologies an MRAM. Im Crocus-Team arbeitet unter anderem Thierry Chavigner mit, der zuvor bei Altis, dem gerade abgestoßenen IBM-Infineon-Jointventure in Corbeil-Essonnes bei Paris tätig war – dort fanden auch die gemeinsamen MRAM-Aktivitäten statt. Spintec-Forscher sprechen auf der MMM 2007 unter anderem über Thermally Assisted MRAM – auch durch kurzes Erwärmen der MRAM-Speicherzellen lässt sich die zum Beschreiben nötige Energie senken. Spintec gehört zur CEA, der französischen Atomenergie-Foschungsanstalt – möglicherweise ein gutes Zeichen, wenn man an die kerntechnischen Wurzeln des kürzlich mit Magnettechnik zum Nobelpreis gelangten Forschungszentrum Jülich denkt. Auch dort und an der nahe gelegenen RWTH Aachen erforscht man Techniken, die für MRAM interessant sein könnten, etwa den Magnetotransport. In der Zukunft könnten magnetische Effekte nicht nur zum Zwecke der Informationsspeicherung, sondern auch für "spintronische" Bauelemente genutzt werden, die sich aber ähnlich wie heutige CMOS-Chips fertigen lassen sollen – auch darum geht es auf der MMM 2007. Die mit Renesas kooperierende Firma Grandis aus Kalifornien stellt auf der MMM 2007 Neuerungen ihrer Spin-Transfer-Torque- (STT-)RAM-Technik vor. Das so genannte STT-Switching wiederum erforschen unter anderen die Firma NVE – dereinst Kooperationspartner von Cypress – sowie der Sonderforschungsbereich 668 beziehungsweise das Institut für angewandte Physik der Uni Hamburg – Letzteres kooperiert auch mit IBM bei der Racetrack-Technik. Zwar nicht über einen Fluxkompensator, aber immerhin über Fluxkonzentratoren (MEMS Flux Concentrators) für hochempfindliche Magnetfeldmessungen berichten übrigens Forscher vom Forschungslabor der US-Armee in Adelphi/Maryland auf der MMM 2007. Nach großer Euphorie vor einigen Jahren war es zuletzt in der Öffentlichkeit still geworden um die MRAM-Technik, die die Vorzüge nichtflüchtiger Speicherchips (wie Flash-Speicher) mit der Geschwindigkeit und Lebensdauer von DRAM kombinieren soll. Die Allianz von Infineon und IBM ist in die Brüche gegangen, IBM verwertet nun seine Forschungserkenntnisse und Patente gemeinsam mit TDK. Cypress hat MRAM bereits 2005 fallengelassen. Von dem für 2005 angekündigten 256-MBit-MRAM von Renesas und Toshiba ist bisher nichts zu sehen, die Freescale-MRAMs erreichen bisher gerade einmal 4 MBit – während NAND-Flash-Chips bei 16 GBit angekommen sind und DDR3-SDRAMs bei 2 GBit. Auch von den angestrebten Fertigungskosten her ist der Abstand zwischen MRAMs und den etablierten DRAMs noch gewaltig. Mit PRAM reift zudem eine weitere Konkurrenztechnik heran, die MRAM auf weiteren potenziellen Einsatzgebieten das Wasser abgraben könnte. (ciw/c't) Quelle:http://www.heise.de/newsticker/meldung/98580 + Multi-Zitat Zitieren