#26 2. Februar 2011 AW: neuer FET Transistortyp: schnell wie DRAM und haltbar Und wo liegen die Daten im DFG-FET? Wohl auch in den FGs... Bisher sieht's sehr spärlich aus mit Informationen über die genaue Funktionsweise. Und das, was man findet, ist nicht sehr überzeugend: Löschzeiten (1->0) von 10µs im flüchtigen Modus, das ist doch ein Witz. + Multi-Zitat Zitieren
#27 2. Februar 2011 AW: neuer FET Transistortyp: schnell wie DRAM und haltbar jo, das neue scheint ja nur die Durchdringung des ersten FGs zu sein. Wo haste des gelesen? 19$ http://www.computer.org/portal/web/csdl/doi/10.1109/MC.2010.366 + Multi-Zitat Zitieren
#28 3. Februar 2011 AW: neuer FET Transistortyp: schnell wie DRAM und haltbar Jo, aber so lange die Daten auf dem FG liegen gibt es doch die gleichen Probleme wie bei normalen Flash-Speicher: Laaaaaaange Löschzeiten, die zudem nicht beliebig oft wiederholt werden können, oder? Ich frag mich echt, wie das einen RAM ersetzen soll :\ DailyTech - New Device Unifies RAM and Flash, Could Revolutionize Electronics Da steht auch, wie man vom flüchtigen in den nicht flüchtigen Modus kommt: Alles einlesen und mit höherer Spannung neu schreiben. Das Paper würde ich gerne mal lesen + Multi-Zitat Zitieren